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（c）三聚氰胺钝化Cu活性中心，电网度进而抑制成核密度过程的示意图。 【小结】总之，公司股东本文综述和讨论了二维单晶受控生长过程中的四个关键因素。

此外，议召还可将制备好的二维单晶作为衬底，议召通过层间耦合的方法在其表面再次生长二维单晶，从而构建层数、取向可控的多层二维单晶或垂直异质结构。因此，南方3年研究大尺寸二维单晶的生长，具有十分重要的意义。电网度（f）由单核生长的单晶石墨烯光学照片。

因此，公司股东现阶段，总结已有的研究成果并且对二维单晶生长作出更加系统、深入地理解，可为今后更多二维单晶的可控生长打下基础。现阶段，议召二维单晶生长还具有巨大的研究空间和潜力。

 图四、南方3年表面调控（a）Cu（111）上生长取向一致的石墨烯晶畴光学图。

（2）多种优异的性质，电网度例如超高的载流子迁移率，界面之间的超快电荷转移等。到目前为止，公司股东只有石墨烯与六方氮化硼（hBN）被制备出接近米量级的单晶。

杂相抑制的目标是提高产物的相纯度，议召从而获得更高的单晶质量。（j-l）在局部氟辅助催化作用下，南方3年一种可能的碳源分解反应路径示意图以及对应的能量曲线。

现阶段，电网度在所有二维材料中，只有石墨烯和hBN通过衬底的表面调控生长获得了接近米量级的单晶。公司股东（n）利用第一性原理DFT计算不同取向hBN生长的能量曲线。